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晶体管特性图示仪 |
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BJ4801A |
图示仪标准仪 校准各种图示仪指标,数字式. |
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19,500 |
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BJ 4811A |
图示仪 0-20V
10A,0-1KV 0.1A,集成化. |
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6,500 |
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BJ4814 |
图示仪 集电极扫描与阶梯电路实现了脉冲测试,最大扫描电压0-5KV Imax:20A |
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3,800 |
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BJ4820 |
大功率晶体管特性图示仪 0-200V,
0.1A-100A(QT11) |
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9,800 |
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BJ4830 |
高精度晶体管特性图示仪 0-1500V, 0.2A-20A. 发射极电流可测1nA/度-2mA/度. |
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14,800 |
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可局部扩展10倍.(QT16) |
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DW4822 |
图示仪 0-5KV、20A,交替、双踪、双足簇、对管测试. |
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5,600 |
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QT-2 |
图示仪 0-500V、5A,三端测试,具有双踪和自动限时功能. |
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5,800 |
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DW4824 |
图示仪 0-2KV、50A,三端测试,交替扫描. |
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6,200 |
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半导体分立器件测试仪 |
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IST8800 |
半导体分立器件综合测试仪 全部智能化,可测场效应管,二极管、三极管、齐纳管、 |
美国 |
99,256 |
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可控硅、三端电源各种直流参数,带接口. 附件:1200V高压测试头. |
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31,790 |
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BJ2923 |
智能化晶体管参数综合测试仪 自动测量三极管12个参数及二极管直流参数, 数字 |
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32,000 |
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式,可自动分选,带打印接口. |
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BJ2948 |
闸流晶体管参数测试仪 可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断态反向 |
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28,000 |
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等17个参数.反向,断态电压可达2000V,通态最大电流到200A,智能型, CRT显示, |
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带打印接口,操作简便,智能化程度高. |
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BJ2942 |
闸流管参数测试仪 测量可控硅触发电压Vgt和触发电流Igt. |
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5,600 |
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BJ2922A |
场效应管测试仪 可测gm,
Vp, Idss,数字显示. |
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7,800 |
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BJ2912B |
稳压二极管测试仪 满足INT740-986系列,ZCW,ZDW等各类稳压二极管,可测: |
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9,500 |
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VF、VZ、RZ、IR. |
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JS-2D |
双级型晶体管反向截止电流测试仪 可测NPN、PNP.小中大功率三极管Iceo, Icbo, |
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5,800 |
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Ices,Icer反向截止电流,偏置电压500V最高分辨率0.1A. |
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JS-2G |
二极管反向漏电流仪 测试二极管及任何二端元件,分脉冲和直流二种方式, |
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8,600 |
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20V-1500V,0.1nA-100μA. |
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BJ2950A |
三极管工作电压测试仪 测试二极管VBC VCE 及二极管VF |
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3,500 |
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BJ2951A |
三极管HFE测试仪 测试三极管放大倍数HFE. |
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3,500 |
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BJ2952A |
晶体管击穿电压测试仪 测量Bvceo,Bvbo,Bvedo,及Bvcer |
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3,500 |
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BJ2984 |
三极管瞬态热阻测试仪 仪器配套WD-9电源 |
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28,000 |
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BJ2984A |
二极管瞬态热阻测试仪 仪器配套WD-9电源 |
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28,000 |
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JE-2b |
二极管综合参数测试仪 可测试各种类型二极管、稳压管及动态电阻VB:0-1.5
KV、 |
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6,500 |
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IR:0-3mA、 VF:0-1.5V、 IF:0-3A、 RZ:0-100Ω |
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2936 |
二极管、桥式整流器正向参数测试仪 可测量二极管、桥式整流器正向参数, VF: |
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4,500 |
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0-3V、IFO-20A,根据用户要求IF可扩展到50A、100A |
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2940 |
二极管、桥式整流器、可控硅反向参数测试仪 可测量二极管、桥式整流器可控硅 |
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4,500 |
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反向参数,VB:0-2KV、 IB:0-3mA, 根据用户要求VB可到3KV、5KV. |
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2960 |
二极管恢复时间测试仪 全部参数数显,正向电流2-100A反向脉冲1-15V负载电阻 |
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4,800 |
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10、75、600Ω三挡. |
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2960E |
高级二极管恢复时间测试仪 ICE标准测试方法、正、反向电流可预置,模拟显示, |
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6,200 |
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恢复时间数显,最小测到1.5nS,有前置脉冲插口可接示波器. |
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2960F |
二极管反向恢复时间测试仪 测试快速整流二极管恢复时间. |
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5,500 |
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2960G |
高频硅堆恢复时间测试仪 用于电视硅堆的反向恢复时间测试,正向电流1-3mA, |
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5,400 |
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恢复电流2-5mA,负载电阻100欧. |
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SCRC |
可控硅综合参数测试仪 可测量可控硅通态、大电流参数及触发电压、触发电流、 |
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14,500 |
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维护电流.IF:0-100A、VF:0-3V、IG:0-300mA VG:0-3V、IH:0-300mA,根据用户要 |
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求IF可扩展到200A、 300A、 500A |
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2931A |
晶闸管门极参数测试仪 可测量晶闸管通态、断态触发电压、触发电流,维持电流 |
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13,800 |
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维持电压等参数,配有示波器观察曲线. VTM:0-10V、ITM:0-15A、VDRM:
0-4KV、 |
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VG:0-10V,IG:0-500mA,ICH:0-500mA |
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2932 |
晶闸管门极参数测试仪 可测量晶闸管可控硅及双向可控硅的触发电压、触发电流 |
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4,500 |
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和维持电流可对双向可控硅进行四个象限测试VG:0-10V,IG:0-500mA IH:0-500mA. |
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2934S |
双向可控硅参数测试仪 可测量双向可控硅的正向断态电压和电流,反向阻断电压 |
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8,500 |
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和电流,配有示波器.VDRM;0-3KV ,IDRM:0-50mA |
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031 |
可控硅触发特性测试仪 用于测试单双向可控硅的触发电压、触发电流、维持电流 |
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5,000 |
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全部数字显示. |
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051 |
可控硅DV/Dt测试仪
测可控硅的断态电压临界上升率,数显. |
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5,500 |
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ST5150 |
半导体参数测试系统 可测试三端双向可控硅、可控硅整流器、晶体管、MOS/J场 |
美国 |
面议 |
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效应管、整流管、二极管、光电开关管.选择适配器可测各种组合器件:光电耦 |
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合器、三端稳压器、光电逻辑器件、最大电流50A、最高电压1KV.300
S脉冲测试, |
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标准并行口,RS-232串口,机械手接口,PC器件生成软件 |
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ST5300HS |
半导体参数测试系统 高速测量,测试器件门类广.自校准、自检验、A/D变换, |
美国 |
面议 |
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实时运算,测试结果比较和数值计算.可选扫描器、多路器和电压、电流扩展. |
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附加5300PC软件.可创建测试程序和记录. |
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